Описание:

ПОРОШОК ОКСИДА ГАЛЛИЯ

Белые треугольные кристаллические частицы. не растворяется в воде. Слабо растворим в горячем растворе кислоты или щелочи. Температура плавления 1900 градусов (превращается в бета-форму при 600 градусах).

Растворим в гидроксидах щелочных металлов и разбавленных неорганических кислотах.

Есть альфа и бета варианты. Тип – белый ромбический шестигранник.

Физические данные:

1. Свойства: -Ga2O3 гексагональный, а -Ga2O3 моноклинный.

Заявление:

Он используется в качестве аналитического реагента высокой чистоты и используется при получении полупроводниковых материалов в электронной промышленности.

Применяются в качестве высокочистых аналитических реагентов и полупроводниковых материалов.

Оксид галлия (Ga2O3) представляет собой широкозонный полупроводник с Eg=4,9 эВ, а его электропроводность и светоизлучающие свойства уже давно привлекают внимание людей.

Ga2O3 — прозрачный оксидный полупроводниковый материал, имеющий широкие перспективы применения в оптоэлектронных устройствах. Он используется в качестве изолирующего слоя для полупроводниковых материалов на основе Ga и ультрафиолетовых фильтров.

Его также можно использовать в качестве химического детектора O2.

http://ru.lyringroup.com/